2025-2031年全球及中國(guó)光刻材料市場(chǎng)發(fā)展深度調(diào)查及發(fā)展戰(zhàn)略可行性評(píng)估預(yù)測(cè)報(bào)告
光刻材料主要包括SOC（Spin?On?Carbon）、ARC（Anti-reflective?Coating）、光刻膠、Top?Coating、稀釋劑、沖洗液、顯影液等，系光刻工藝中重要材料之一，決定著晶圓工藝圖形的精密程度與產(chǎn)品良率。光刻工藝定義了集成電路產(chǎn)品的尺寸，是集成電路制造工藝中的關(guān)鍵一環(huán)，光刻工藝難度最大，耗時(shí)最長(zhǎng)，芯片在生產(chǎn)過(guò)程中一般需要進(jìn)行20至90次光刻。同時(shí)，光刻材料貫穿整個(gè)光刻工藝，集成電路生產(chǎn)制造過(guò)程中，光刻材料成本約占集成電路制造材料成本的13%-15%，光刻工藝成本約占晶圓制造工藝的1/3，耗時(shí)占晶圓制造工藝的40%-50%，光刻材料市場(chǎng)需求與集成電路工藝發(fā)展緊密相關(guān)。一方面，隨著晶圓制造工藝制程逐漸縮小，先進(jìn)制程中光刻工藝曝光次數(shù)顯著增加。尤其是境內(nèi)缺失EUV相關(guān)技術(shù)的背景下，多重曝光技術(shù)與浸沒(méi)式光刻技術(shù)已被廣泛應(yīng)用以提升技術(shù)節(jié)點(diǎn)，相應(yīng)曝光材料用量隨之提升，對(duì)光刻材料需求保持增長(zhǎng)；另一方面，存儲(chǔ)芯片中閃存芯片推進(jìn)3DNAND、內(nèi)存芯片技術(shù)節(jié)點(diǎn)持續(xù)升級(jí)、邏輯芯片轉(zhuǎn)向
FinFET結(jié)構(gòu)等都對(duì)光刻材料提出新要求，促使光刻材料持續(xù)演進(jìn)。存儲(chǔ)芯片與邏輯芯片合計(jì)市場(chǎng)規(guī)模占集成電路市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)60%，相應(yīng)產(chǎn)品技術(shù)演變推動(dòng)光刻材料技術(shù)不斷進(jìn)步，需求保持上升。
在存儲(chǔ)芯片方面，持續(xù)提升讀寫(xiě)速度和存儲(chǔ)容量系各類(lèi)存儲(chǔ)芯片主要發(fā)展方向。其中，DRAM制程工藝已在使用DUV技術(shù)與多重曝光技術(shù)，特別是技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入20nm以下之后，制造難度大幅提升，DRAM芯片廠商對(duì)工藝定義從具體線寬轉(zhuǎn)變?yōu)樵谥瞥谭秶鷥?nèi)技術(shù)迭代來(lái)提高存儲(chǔ)密度；NAND芯片制程工藝從2D架構(gòu)轉(zhuǎn)向3D堆疊架構(gòu)，以更多堆疊層數(shù)來(lái)得到更大存儲(chǔ)容量，要求光刻材料滿足多次臺(tái)階刻蝕和深層結(jié)構(gòu)刻蝕要求。在技術(shù)實(shí)現(xiàn)基礎(chǔ)上，存儲(chǔ)芯片容量提升對(duì)應(yīng)制造工藝過(guò)程中的光刻次數(shù)與層數(shù)持續(xù)增加，對(duì)應(yīng)光刻材料市場(chǎng)需求也將快速增長(zhǎng)。
在邏輯芯片方面，一方面，為了在現(xiàn)有技術(shù)范圍內(nèi)盡可能提高技術(shù)節(jié)點(diǎn)，晶圓廠引入浸沒(méi)式光刻技術(shù)和多重曝光技術(shù)，TopCoating作為與ArF浸沒(méi)式光刻膠配套使用的光刻材料得以廣泛應(yīng)用。同時(shí)，多重曝光技術(shù)使浸沒(méi)式光刻技術(shù)在原有半周期極限分辨率僅能滿足28nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)背景下，通過(guò)多重曝光能夠應(yīng)用于14nm、10nm甚至7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，而在多重曝光技術(shù)下，對(duì)光刻材料的分辨率、線條邊緣粗糙度和光敏性均提出更高要求；另一方面，高數(shù)值孔徑光刻機(jī)應(yīng)用和FinFET器件工藝導(dǎo)致光刻工藝復(fù)雜性顯著增加，除需要改善分辨率外，光刻材料還需應(yīng)對(duì)FinFET器件不平整的三維襯底結(jié)構(gòu)在平坦化和抗反射方面的需求。多重曝光技術(shù)與FinFET器件工藝持續(xù)推動(dòng)光刻材料技術(shù)進(jìn)化，并同步帶動(dòng)光刻材料市場(chǎng)需求提升。
除了來(lái)自集成電路前道工藝方面的技術(shù)挑戰(zhàn)與市場(chǎng)需求外，后道封裝工藝中，先進(jìn)封裝再布線層、穿透硅通孔、堆疊封裝、凸塊制作等技術(shù)應(yīng)用也推動(dòng)光刻材料進(jìn)一步發(fā)展：如再布線層和銅凸塊制作需要高對(duì)比度厚膜光刻膠；特定穿透硅通孔需要高深寬比和高分辨率的負(fù)性光刻膠，并需同時(shí)滿足形貌、厚度、涂布均勻性、對(duì)比度、高黏度等多維度參數(shù)要求；集成電路小型化和多功能化推動(dòng)芯片布線和封裝技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新，在制造封裝基板、薄膜和其他先進(jìn)封裝組件中，光敏聚酰亞胺已成為金屬線和單元芯片之間應(yīng)用最多的絕緣介質(zhì)材料。
境內(nèi)光刻材料起步較晚，前期發(fā)展較為緩慢。隨著國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)支持和集成電路產(chǎn)業(yè)快速成長(zhǎng)的帶動(dòng)下，境內(nèi)光刻材料企業(yè)開(kāi)始持續(xù)研發(fā)投入，光刻材料整體研發(fā)與制備水平得到提升，但在先進(jìn)制程領(lǐng)域，境外光刻材料廠商仍然占據(jù)較高市場(chǎng)份額。伴隨境內(nèi)晶圓制造產(chǎn)能與良率不斷提升，上下游行業(yè)快速發(fā)展，并結(jié)合光刻材料國(guó)產(chǎn)化戰(zhàn)略持續(xù)深化，境內(nèi)光刻材料市場(chǎng)本土供應(yīng)量增速有望高于全球平均水平。根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，境內(nèi)光刻材料整體市場(chǎng)規(guī)模從2019年53.7億元增長(zhǎng)至2023年121.9億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)22.7%，并將于2028年增長(zhǎng)至319.2億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)21.2%。
（1）SOC系晶圓制造光刻工藝必備光刻材料之一：SOC主要包括用于存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)為主的高溫SOC與用于邏輯芯片生產(chǎn)為主的低溫SOC，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)NAND、DRAM存儲(chǔ)芯片與45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下邏輯芯片光刻工藝。SOC系光刻工藝襯底上旋涂的第一層材料，有效解決光刻過(guò)程中的平坦度、刻蝕持久性以及抗反射能力問(wèn)題，同時(shí)，SOC系“三層結(jié)構(gòu)”的核心材料之一，隨著FinFET器件技術(shù)廣泛應(yīng)用，“三層結(jié)構(gòu)”已開(kāi)始取代“兩層結(jié)構(gòu)”，SOC已屬于晶圓制造光刻工藝必備關(guān)鍵光刻材料。
SOC發(fā)展趨勢(shì)主要系基于晶圓制造光刻工藝的持續(xù)升級(jí)與優(yōu)化。一方面，由于SOC材料特性，使其同時(shí)具備較好抗反射能力與優(yōu)良刻蝕持久性與縱橫比，并能夠在光刻工藝后被除去。因此，在晶圓制造工藝日趨復(fù)雜的發(fā)展趨勢(shì)下，對(duì)SOC使用量將成倍提升；另一方面，“三層結(jié)構(gòu)”對(duì)提高圖形解析度與保真度方面均效果顯著，且在工藝異常時(shí)可通過(guò)返工工藝避免晶圓報(bào)廢，能夠一定程度彌補(bǔ)境內(nèi)EUV光刻工藝缺失的技術(shù)短板，促進(jìn)境內(nèi)晶圓制造工藝與關(guān)鍵材料國(guó)產(chǎn)化的發(fā)展，相應(yīng)推動(dòng)SOC規(guī)模進(jìn)一步增長(zhǎng)；與此同時(shí)，隨著境內(nèi)先進(jìn)NAND、DRAM存儲(chǔ)芯片如多層堆疊的3DNAND和18nm及以下的DRAM等SOC使用量較高產(chǎn)品的生產(chǎn)技術(shù)日趨成熟，產(chǎn)能產(chǎn)量日益提升，對(duì)SOC需求和使用量將持續(xù)擴(kuò)大。根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，境內(nèi)SOC市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)持續(xù)上升趨勢(shì)，從2019年6.5億元增長(zhǎng)至2023年13.3億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)19.6%，預(yù)計(jì)2028年境內(nèi)SOC市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至43.7億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為26.8%。因此，預(yù)計(jì)2023年至2028年，境內(nèi)SOC年復(fù)合增長(zhǎng)率將高于光刻材料整體年復(fù)合增長(zhǎng)率，SOC在光刻材料中占比將日益提升。
（2）抗反射涂層配套光刻膠成熟應(yīng)用于晶圓制造光刻工藝：抗反射涂層根據(jù)涂覆位置不同主要分為位于襯底與光刻膠之間的BARC與位于光刻膠頂部的TARC。在光刻工藝過(guò)程中，抗反射涂層在旋涂光刻膠前后均需要使用，主要作用系消除入射光在光刻膠與襯底界面、光刻膠與空氣界面產(chǎn)生的反射，降低由反射引起的駐波效應(yīng)對(duì)光刻膠性能的影響，已成為配套光刻膠成熟應(yīng)用的關(guān)鍵光刻材料。
隨著集成電路集成度日益提升，對(duì)應(yīng)線寬尺寸與薄膜厚度均提出更高要求，相應(yīng)需要更大比例抗反射涂層配合光刻膠使用，因此，隨著光刻技術(shù)演進(jìn)，光刻層數(shù)增加，抗反射涂層使用規(guī)模將同步增加。與此同時(shí)，技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷縮小致使不同光刻材料之間化學(xué)相互作用日益明顯，需對(duì)BARC工藝和特性持續(xù)優(yōu)化以提供最佳光刻材料輪廓和工藝窗口，滿足特定應(yīng)用和產(chǎn)品需求。根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，境內(nèi)抗反射涂層市場(chǎng)規(guī)模從2019年10.3億元增長(zhǎng)至2023年29.4億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)29.9%。預(yù)計(jì)2028年境內(nèi)抗反射涂層市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至96.9億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為26.9%。
BARC占抗反射涂層市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)70%。按照應(yīng)用場(chǎng)景及搭配光刻膠類(lèi)別，BARC可進(jìn)一步分為i-LineBARC、KrFBARC、ArFBARC以及iArFBARC等類(lèi)型。BARC市場(chǎng)需求與對(duì)應(yīng)光刻膠用量密切相關(guān)，隨著境內(nèi)12英寸集成電路晶圓制造產(chǎn)能持續(xù)提升，工藝制程逐步升級(jí)，預(yù)計(jì)KrF光刻膠與ArF浸沒(méi)式光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步提升，對(duì)應(yīng)KrFBARC與iArFBARC市場(chǎng)規(guī)模同步增長(zhǎng)。
BARC材料細(xì)分領(lǐng)域眾多，其中，SiARC涂覆位置與BARC相似但分子結(jié)構(gòu)與其他BARC有較大差異，在先進(jìn)NAND、DRAM存儲(chǔ)芯片與40nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下邏輯芯片的關(guān)鍵層被廣泛使用。如在40nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，光刻膠厚度一般僅為100nm左右，該厚度已無(wú)法有效阻擋反應(yīng)離子刻蝕，在圖形被完全刻蝕到襯底之前，光刻膠已經(jīng)大量消耗，SiARC由于含硅特性，在離子刻蝕時(shí)可提供較高的刻蝕選擇性。在“三層結(jié)構(gòu)”中，SiARC涂覆于SOC上，共同解決光刻工藝過(guò)程中的刻蝕性能、間隙填充、平坦化性能以及反射率等問(wèn)題?，F(xiàn)階段，“三層結(jié)構(gòu)”在集成電路晶圓制造過(guò)程中已廣泛應(yīng)用，SiARC需求隨著境內(nèi)晶圓廠量產(chǎn)能力提升而持續(xù)增長(zhǎng)。根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，在12英寸集成電路領(lǐng)域，全球范圍內(nèi)生產(chǎn)SOC與抗反射涂層的企業(yè)主要有日本合成橡膠、信越化學(xué)、美國(guó)杜邦、BrewerScience、德國(guó)默克、PIBOND等。
（3）光刻膠系光刻工藝核心材料：光刻膠按照化學(xué)反應(yīng)和顯影原理可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠，按照應(yīng)用領(lǐng)域劃分可分為PCB光刻膠、LCD光刻膠以及半導(dǎo)體光刻膠。其中，半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)壁壘最高，LCD光刻膠次之，PCB光刻膠技術(shù)壁壘最低。半導(dǎo)體光刻膠根據(jù)曝光光源波長(zhǎng)可進(jìn)一步分為g-Line光刻膠、i-Line光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠以及EUV光刻膠等。光刻膠應(yīng)用于晶圓制造工藝的光刻環(huán)節(jié)，作為核心材料決定了工藝圖形的精密程度和產(chǎn)品良率，多年來(lái)一直保持穩(wěn)定持續(xù)增長(zhǎng)。根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，境內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模從2019年27.8億元增長(zhǎng)至2023年64.2億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)23.3%，預(yù)計(jì)2028年境內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到150.3億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率18.5%，高于全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模增速。在細(xì)分市場(chǎng)中，i-Line光刻膠、KrF光刻膠與ArF光刻膠系境內(nèi)12英寸集成電路晶圓制造主要應(yīng)用光刻膠，隨著境內(nèi)12英寸晶圓產(chǎn)能持續(xù)提升，先進(jìn)應(yīng)用和技術(shù)節(jié)點(diǎn)持續(xù)提升，光刻技術(shù)如浸沒(méi)式光刻技術(shù)和多重曝光技術(shù)逐步應(yīng)用以及光刻膠性能穩(wěn)步升級(jí)，KrF光刻膠與ArF光刻膠對(duì)應(yīng)市場(chǎng)規(guī)模從2019年14.7億元增長(zhǎng)至2023年36.7億元，預(yù)計(jì)2028年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到106.9億元，占境內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)份額將達(dá)71.12%。
技術(shù)節(jié)點(diǎn)持續(xù)升級(jí)將推動(dòng)光刻膠應(yīng)用規(guī)模的穩(wěn)步提升。在邏輯芯片光刻工藝中，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷微縮，ArF浸沒(méi)式光刻應(yīng)用將大幅增長(zhǎng)，從40nm的少量應(yīng)用增至7nm工藝可超過(guò)35層；KrF光刻一直是65nm至28nm甚至是16nm工藝應(yīng)用最多的光刻工藝，光刻層數(shù)為25至30層；i-Line光刻在130nm至90nm工藝中的應(yīng)用層數(shù)為20層左右，超過(guò)總光刻層數(shù)50%；在3DNAND存儲(chǔ)芯片光刻工藝中，隨著堆疊技術(shù)快速提升工藝層數(shù)，促使光刻層數(shù)對(duì)應(yīng)增加，KrF光刻作為3DNAND應(yīng)用最廣泛的光刻工藝，光刻層數(shù)持續(xù)增加；在DRAM工藝中，18nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)時(shí)，KrF光刻層數(shù)超過(guò)50%，ArF和ArF浸沒(méi)式光刻層數(shù)各占約25%。
浸沒(méi)式光刻技術(shù)與多重曝光技術(shù)在推動(dòng)集成電路光刻工藝發(fā)展方面發(fā)揮重要作用，并帶動(dòng)光刻次數(shù)持續(xù)提升，對(duì)應(yīng)光刻膠使用需求穩(wěn)步增長(zhǎng)。浸沒(méi)式光刻技術(shù)利用液體的高折射率來(lái)提高光刻工藝的分辨率，進(jìn)一步提升光刻技術(shù)可應(yīng)用技術(shù)節(jié)點(diǎn)；多重曝光技術(shù)的核心是把一層光刻的圖形拆分到兩個(gè)或多個(gè)掩模上，用多次光刻和刻蝕來(lái)實(shí)現(xiàn)原來(lái)一層設(shè)計(jì)的圖形。在多重曝光技術(shù)中，雙重曝光已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于22nm、20nm、16nm和14nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)；三重或多重曝光技術(shù)將被用于7nm節(jié)點(diǎn)工藝。在境內(nèi)EUV光刻技術(shù)取得突破前，只有依靠浸沒(méi)式光刻技術(shù)結(jié)合多重曝光技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)之間的收縮。與此同時(shí)，多重曝光技術(shù)雖然是在浸沒(méi)式光刻技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，但它適用于包括EUV在內(nèi)任何波長(zhǎng)的光刻技術(shù)，在7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下，即使EUV光刻技術(shù)也無(wú)法滿足技術(shù)節(jié)點(diǎn)對(duì)分辨率要求，多重曝光技術(shù)在EUV光刻工藝下仍將持續(xù)應(yīng)用。
（4）光刻材料原材料研發(fā)已取得進(jìn)展：中國(guó)境內(nèi)光刻材料早期發(fā)展較為緩慢，致使光刻材料原材料的開(kāi)發(fā)缺乏動(dòng)力和目標(biāo)，間接導(dǎo)致現(xiàn)階段中國(guó)境內(nèi)光刻材料原材料仍然大部分依賴(lài)進(jìn)口。隨著光刻材料國(guó)產(chǎn)化持續(xù)推進(jìn)，光刻材料原材料如光敏劑、樹(shù)脂、溶劑等已具備市場(chǎng)發(fā)展空間，相關(guān)研發(fā)工作已取得進(jìn)展，在基本有機(jī)合成方面積累一定技術(shù)沉淀，需重點(diǎn)突破在大批量生產(chǎn)過(guò)程中如何控制原材料的金屬雜質(zhì)和顆粒尺寸及含量，使其可滿足集成電路工藝對(duì)金屬雜質(zhì)和顆粒的嚴(yán)苛要求。未來(lái)，隨著光刻材料原材料國(guó)產(chǎn)化取得突破，將促進(jìn)光刻材料國(guó)產(chǎn)化應(yīng)用進(jìn)一步落地。
根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，在12英寸集成電路晶圓制造領(lǐng)域，全球范圍內(nèi)生產(chǎn)半導(dǎo)體光刻膠的企業(yè)主要有日本合成橡膠、信越化學(xué)、東京應(yīng)化、富士膠片、美國(guó)杜邦等。境內(nèi)企業(yè)除恒坤新材已實(shí)現(xiàn)i-Line光刻膠與KrF光刻膠量產(chǎn)供貨外，包括南大光電、北京科華、上海新陽(yáng)、瑞紅蘇州等也有半導(dǎo)體光刻膠產(chǎn)品在驗(yàn)證或量產(chǎn)供貨過(guò)程中。2023年度，i-Line光刻膠銷(xiāo)售規(guī)模達(dá)354.87萬(wàn)元，KrF光刻膠銷(xiāo)售規(guī)模達(dá)458.30萬(wàn)元，相較境內(nèi)整體市場(chǎng)規(guī)模而言，仍具備廣闊成長(zhǎng)空間。
總體而言，境內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠在國(guó)產(chǎn)化應(yīng)用方面已取得一定突破，但仍有長(zhǎng)足發(fā)展空間。根據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，KrF光刻膠國(guó)產(chǎn)化率1-2%左右，ArF光刻膠國(guó)產(chǎn)化率不足1%，i-Line光刻膠國(guó)產(chǎn)化率10%左右。隨著境內(nèi)材料企業(yè)的光刻膠持續(xù)通過(guò)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)未來(lái)光刻膠國(guó)產(chǎn)化比例將進(jìn)一步提升，境內(nèi)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)空間將得以擴(kuò)大。
第一章 | 行業(yè)概述及全球與中國(guó)市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀 |
第二章 | 從生產(chǎn)角度分析全球主要地區(qū)光刻材料產(chǎn)量、產(chǎn)值、市場(chǎng)份額、增長(zhǎng)率及發(fā)展趨勢(shì) |
第三章 | 從消費(fèi)角度分析全球主要地區(qū)光刻材料消費(fèi)量、市場(chǎng)份額及發(fā)展趨勢(shì) |
第四章 | 我國(guó)光刻材料行業(yè)整體運(yùn)行指標(biāo)分析 |
第五章 | 光刻材料行業(yè)進(jìn)出口結(jié)構(gòu)及面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn) |
第六章 | 2025-2031年中國(guó)各地區(qū)光刻材料行業(yè)運(yùn)行狀況分析及預(yù)測(cè) |
第七章 | 2025-2031年光刻材料行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)形勢(shì)及策略 |
第八章 | 光刻材料行業(yè)“十五五”規(guī)劃研究 |
第九章 | 全球與中國(guó)主要廠商光刻材料產(chǎn)量、產(chǎn)值及競(jìng)爭(zhēng)分析 |
第十章 | 2025-2031年光刻材料行業(yè)投資價(jià)值評(píng)估分析 |
第十一章 | 光刻材料行業(yè)投資戰(zhàn)略研究 |
第十二章 | 中金企信國(guó)際咨詢(xún)研究結(jié)論及投資建議 |
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《銷(xiāo)量認(rèn)證：預(yù)計(jì)2025年信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)8,000億元-中金企信發(fā)布》
《2024年中國(guó)IDC及云計(jì)算行業(yè)政策影響、運(yùn)行現(xiàn)狀及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分析-中金企信發(fā)布》
《中金企信發(fā)布：預(yù)計(jì)到2025年中國(guó)數(shù)據(jù)庫(kù)市場(chǎng)總規(guī)模將達(dá)到688億元》