2023年全球及中國CMP設(shè)備行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分析及未來市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)研究預(yù)測(cè)

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1、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局分析：全球CMP設(shè)備市場(chǎng)主要由美國應(yīng)用材料和日本荏原占據(jù)，處于高度壟斷狀態(tài)。根據(jù)中金企信數(shù)據(jù)，上述兩家制造商的CMP設(shè)備全球市場(chǎng)占有率超過90%，尤其在14nm以下先進(jìn)制程工藝產(chǎn)線上使用的CMP設(shè)備主要由美國應(yīng)用材料和日本荏原兩家國際巨頭提供。中國大陸2022年CMP設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)6.66億美元，但絕大部分高端CMP設(shè)備仍然依賴于進(jìn)口，主要由美國應(yīng)用材料和日本荏原兩家提供。國內(nèi)從事CMP設(shè)備業(yè)務(wù)的主要企業(yè)有北京晶亦精微科技股份有限公司及華海清科，其中公司是國產(chǎn)8英寸CMP設(shè)備的主要供應(yīng)商，所生產(chǎn)的8英寸CMP設(shè)備已廣泛應(yīng)用于中芯國際、境內(nèi)客戶A、世界先進(jìn)、聯(lián)華電子等境內(nèi)外先進(jìn)集成電路制造商的規(guī)?；a(chǎn)線中。

中金企信國際咨詢公布的《2023版全球及中國CMP設(shè)備市場(chǎng)深度調(diào)研及投資可行性預(yù)測(cè)咨詢報(bào)告》

2、行業(yè)主要企業(yè)：

（1）國際主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手分析：

1）美國應(yīng)用材料：美國應(yīng)用材料成立于1967年，系美國納斯達(dá)克證券交易所上市公司（股票代碼：AMAT.O），主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)，主要產(chǎn)品包括原子層沉積設(shè)備、化學(xué)薄膜沉積設(shè)備、電化學(xué)沉積設(shè)備、物理薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、快速熱處理設(shè)備、離子注入機(jī)、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備等。美國應(yīng)用材料是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商之一。2022財(cái)年，美國應(yīng)用材料實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入257.85億美元，凈利潤(rùn)65.25億美元。

2）日本荏原：日本荏原成立于1912年，系日本東京證券交易所上市公司（股票代碼：6361.T），主要從事以泵等旋轉(zhuǎn)機(jī)械為中心的開發(fā)活動(dòng)，可具體分為三個(gè)部分：流體機(jī)械和系統(tǒng)；環(huán)境工程和精密機(jī)械，其精密機(jī)械產(chǎn)品包括干式真空泵，化學(xué)機(jī)械拋光系統(tǒng)；電鍍系統(tǒng)和氣體減排系統(tǒng)。日本荏原是日本和中國臺(tái)灣的CMP設(shè)備最大供應(yīng)商。2022財(cái)年，日本荏原實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入51.19億美元，凈利潤(rùn)3.80億美元。

（2）國內(nèi)主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手概況目前，國內(nèi)從事CMP設(shè)備制造業(yè)務(wù)的主要企業(yè)有公司及華海清科，除前述兩家公司外，下文還列示了其余國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)主要企業(yè)：

1）華海清科：華海清科（股票代碼：688120.SH）成立于2013年，主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品為12英寸CMP設(shè)備、減薄設(shè)備、供液系統(tǒng)、晶圓再生、關(guān)鍵耗材與維保服務(wù)。華海清科是一家擁有核心自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體設(shè)備制造商。2022年度，華海清科實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入16.49億元，凈利潤(rùn)5.02億元。

2）中微公司：中微公司（股票代碼：688012.SH）成立于2004年，主要從事集成電路、LED關(guān)鍵制造設(shè)備，核心產(chǎn)品包括：①用于IC集成電路領(lǐng)域的等離子體刻蝕設(shè)備（CCP、ICP）、深硅刻蝕設(shè)備（TSV）；②用于LED芯片領(lǐng)域的MOCVD設(shè)備。中微公司深耕芯片制造刻蝕領(lǐng)域，研制出了國內(nèi)第一臺(tái)電介質(zhì)刻蝕機(jī)，是我國集成電路設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)。2022年度，中微公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入47.40億元，凈利潤(rùn)11.68億元。

3）北方華創(chuàng)：北方華創(chuàng)（股票代碼：002371.SZ）成立于2001年，主要從事半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)，主要產(chǎn)品為電子工藝裝備和電子元器件。公司電子工藝裝備主要包括半導(dǎo)體裝備（包括刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長(zhǎng)等核心工藝裝備）、真空裝備和新能源鋰電設(shè)備，電子元器件主要包括電阻、電容、晶體器件、模塊電源、微波組件等。北方華創(chuàng)是中國最大的電子裝備生產(chǎn)基地和高端電子元器件制造基地。2022年度，北方華創(chuàng)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入146.88億元，凈利潤(rùn)25.41億元。

4）芯源微：芯源微（股票代碼：688037.SH）成立于2002年，主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品包括光刻工序涂膠顯影設(shè)備（涂膠/顯影機(jī)、噴膠機(jī)）和單片式濕法設(shè)備（清洗機(jī)、去膠機(jī)、濕法刻蝕機(jī)）。芯源微生產(chǎn)的涂膠/顯影機(jī)成功打破國外廠商壟斷并填補(bǔ)國內(nèi)空白，其中在LED芯片制造及集成電路制造后道先進(jìn)封裝等環(huán)節(jié)，作為國內(nèi)廠商主流機(jī)型已成功實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。2022年度，芯源微實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入13.85億元，凈利潤(rùn)2.00億元。

5）盛美上海：盛美上海（股票代碼：688082.SH）成立于2005年，主要從事半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備和先進(jìn)封裝濕法設(shè)備等。2022年度，盛美上海實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入28.73億元，凈利潤(rùn)6.68億元。

3、主要技術(shù)分析：

（1）亞納米級(jí)全局平坦化技術(shù)：亞納米級(jí)全局平坦化技術(shù)包括平坦化位移場(chǎng)追蹤掃描技術(shù)、多區(qū)域柔性研磨組件技術(shù)、特殊材料研拋技術(shù)和增效平坦化技術(shù)。平坦化位移場(chǎng)追蹤掃描技術(shù)結(jié)合研磨組件與修整器的多種動(dòng)態(tài)運(yùn)動(dòng)方式，自動(dòng)跟蹤生成高維度位移場(chǎng)擺動(dòng)曲線，實(shí)現(xiàn)了平坦化運(yùn)動(dòng)位移的高精度性和多組件協(xié)作的穩(wěn)定協(xié)同。多區(qū)域柔性研磨組件技術(shù)通過對(duì)晶圓多區(qū)域壓力分布的精密控制和調(diào)整，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓表面形貌的精確調(diào)整，可實(shí)現(xiàn)最多8區(qū)域獨(dú)立控制。特殊材料研拋技術(shù)突破了邊緣形貌獨(dú)立控制技術(shù)、工藝過程中熱量分布和環(huán)境溫度控制技術(shù)、研磨液流場(chǎng)控制技術(shù)、電極拋光增效和拋光液循環(huán)技術(shù)等技術(shù)，創(chuàng)新地實(shí)現(xiàn)了高速可靠的特殊材料表面拋光處理。增效平坦化技術(shù)通過包括超聲、光波、電化學(xué)、芬頓反應(yīng)等多種技術(shù)手段對(duì)傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光工藝進(jìn)行增效處理，有效實(shí)現(xiàn)了超低壓力下的超高去除率。

（2）光電磁一體化終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)：光電磁一體化終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)包括光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)和電渦流終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)。光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)基于光學(xué)反射和干涉的原理，對(duì)拋光盤進(jìn)行了光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)，通過光譜采集與處理技術(shù)對(duì)收集的光強(qiáng)或光譜數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，從而得到拋光介質(zhì)去除量以及介質(zhì)材料變化的信號(hào)，通過終點(diǎn)檢測(cè)算法實(shí)現(xiàn)拋光重點(diǎn)偵測(cè)和設(shè)備主動(dòng)停止，降低環(huán)境影響，避免過拋或欠拋。

電渦流終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用電渦流效應(yīng)在拋光過程中實(shí)時(shí)偵測(cè)晶圓表面金屬膜的厚度和形貌，配合晶圓邊緣及溫度補(bǔ)償算法，通過晶圓承載器壓力實(shí)時(shí)調(diào)整，實(shí)現(xiàn)晶圓表面形貌的精確控制，可實(shí)現(xiàn)晶圓實(shí)時(shí)形貌檢測(cè)和控制，大幅提高金屬CMP的工藝質(zhì)量和效率。

（3）超凈無損清洗技術(shù)：超凈無損清洗技術(shù)包括高頻聲波清洗技術(shù)、微重力柔性清洗技術(shù)、低速旋轉(zhuǎn)式晶圓表面干燥技術(shù)和復(fù)合豎直水平清洗技術(shù)。

高頻聲波清洗技術(shù)針對(duì)不同器件結(jié)構(gòu)，選取適合的聲波頻率，并控制聲波發(fā)生器與晶圓表面距離、噴射角度等參數(shù)，結(jié)合動(dòng)態(tài)位移控制技術(shù)，確保晶圓表面獲得均勻聲波能量，實(shí)現(xiàn)最小晶圓表現(xiàn)損傷情況下最優(yōu)的清洗效果。

微重力柔性清洗技術(shù)通過刷洗力實(shí)時(shí)精確控制技術(shù)、晶圓表面刷洗力分布檢測(cè)技術(shù)以及清洗刷柔性材料技術(shù)等，來提升晶圓表面清潔力和降低化學(xué)品等工藝耗材的用量，對(duì)微小沾污清洗效果明顯。

低速旋轉(zhuǎn)式晶圓表面干燥技術(shù)基于業(yè)界通用的馬蘭戈尼效應(yīng)，創(chuàng)新地采用了低速離心力液膜剝離技術(shù)，配合液膜連續(xù)性檢測(cè)技術(shù)和協(xié)同的高純氮吹掃路徑算法等實(shí)現(xiàn)晶圓再次清潔基礎(chǔ)上的干燥，解決了同類產(chǎn)品中殘留水漬及干燥過程中再污染的問題。

復(fù)合豎直水平清洗技術(shù)是通過結(jié)合豎直清洗技術(shù)和水平干燥技術(shù)的突出優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)更高節(jié)點(diǎn)要求的超凈清洗技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)更好的工藝效果。

（4）設(shè)備智能分析和控制系統(tǒng)：設(shè)備智能分析和控制系統(tǒng)包括晶圓表面形貌智能控制技術(shù)、設(shè)備智能輔助故障處理系統(tǒng)和設(shè)備自學(xué)習(xí)系統(tǒng)。晶圓表面形貌智能控制技術(shù)基于對(duì)晶圓表面形貌及去除量的實(shí)時(shí)偵測(cè)以及對(duì)修整器壓力和路徑、研磨墊表面形貌、研磨盤溫度、晶圓承載器壓力、研磨液分布、相關(guān)耗材使用壽命等信息的實(shí)時(shí)偵測(cè)，在高精度協(xié)同控制模型作用下，對(duì)于上述各模塊的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行自動(dòng)調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)晶圓表面形貌最優(yōu)。該技術(shù)在晶圓全局平坦化程度以及量產(chǎn)晶圓片間均勻性方面都展現(xiàn)出一定優(yōu)勢(shì)。

設(shè)備智能輔助故障處理系統(tǒng)通過搭建設(shè)備異常分析神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，依托數(shù)據(jù)庫中分類標(biāo)注的工藝數(shù)據(jù)對(duì)設(shè)備進(jìn)行訓(xùn)練，使系統(tǒng)能自動(dòng)且精準(zhǔn)高效地對(duì)加工數(shù)據(jù)進(jìn)行異常分析和歸類，降低故障處理試錯(cuò)成本，提高故障處理的準(zhǔn)確性和效率。設(shè)備自學(xué)習(xí)系統(tǒng)通過人工智能技術(shù)，搭建自學(xué)習(xí)模型，在系統(tǒng)中導(dǎo)入各影響因子數(shù)據(jù)，通過分析并給出更優(yōu)工藝參數(shù)組合并循環(huán)迭代，逐步進(jìn)行系統(tǒng)模型的自主訓(xùn)練和優(yōu)化，最終令設(shè)備具備愈加成熟的CMP系統(tǒng)級(jí)決策能力，輸出最優(yōu)的工藝解決方案。

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